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HiPerFET TM
Power MOSFET
IXFN 70N60Q2
V DSS = 600 V
I D25 = 70 A
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, Low Q g , Low Intrinsic R g
High dV/dt, Low t rr
R DS(on) = 80 m ?
t rr ≤ 250 ns
Preliminary Data Sheet
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)
E153432
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
S
G
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
600
600
V
V
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 30
± 40
V
V
D
S
I D25
I DM
I AR
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
70
280
70
A
A
A
G = Gate
S = Source
D = Drain
E AR
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
V ISOL
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
50/60 Hz, RMS, t = 1 minute
60
5.0
20
890
-55 ... +150
150
-55 ... +150
2500
mJ
J
V/ns
W
° C
° C
° C
V
Either Source terminal at miniBLOC can be used
as Main or Kelvin Source
Features
? Double metal process for low
gate resistance
? miniBLOC, with Aluminium nitride
isolation
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
M d
Mounting torque
Terminal connection torque
1.5/13 Nm/lb.in.
1.5/13 Nm/lb.in.
? Low package inductance
? Fast intrinsic Rectifier
Weight
30
g
Applications
? DC-DC converters
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
? Switched-mode and resonant-mode
power supplies
? DC choppers
V DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0 V, I D = 1mA
V DS = V GS , I D = 8mA
V GS = ± 30 V, V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25
Note 1
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
600
2.5
V
5.0 V
± 200 nA
50 μ A
3 mA
80 m ?
? Pulse generators
Advantages
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
? 2003 IXYS All rights reserved
DS99029A(06/03)
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